基本属性
- 拼音字母wei cuo zeng zhi
- 拼音首字母wczz
- 注音符号ㄨㄟ ㄘㄨㄛ ㄗㄥ ㄓ
扩展释义
位错增殖是晶体中的位错在一定形式的运动中，自身不断产生新的位错环或大幅度增加位错线长度，从而使材料中的位错数目或位错密度在运动中不断增大的过程。位错概念最初是在研究晶体的强度和范性时提出，后来引入到矿物学中。作为地球上各种物质运动的基本单位，矿物会“记录”某些地质事件，位错就是“记录”到的信息之一。
位错增殖是晶体中的位错在一定形式的运动中，自身不断产生新的位错环或大幅度增加位错线长度，从而使材料中的位错数目或位错密度在运动中不断增大的过程。位错概念最初是在研究晶体的强度和范性时提出，后来引入到矿物学中。作为地球上各种物质运动的基本单位，矿物会“记录”某些地质事件，位错就是“记录”到的信息之一。