耗尽区

基本属性

• 拼音字母hao jin qu
• 拼音首字母hjq
• 注音符号ㄏㄠ ㄐㄧㄣ ㄑㄩ

扩展释义

耗尽区是指在半导体pn结、肖特基结、异质结中，由于界面两侧半导体原有化学势的差异导致界面附近能带弯曲，从而形成能带弯曲区域电子或空穴浓度的下降的界面区域。